6月13日讯息，国度常识产权局信息泄漏，中微半导体开拓（上海）股份有限公司苦求一项名为“一种基片位置检测安装过火系统和才调”的专利，授权公告号CN115706041B，授权公告日为2026年6月12日。苦求公布号为CN115706041A，苦求号为CN202110919012.4，苦求公布日历为2026年6月12日，苦求日历为2021年8月11日，发明东谈主王恒阳、吴狄、连增迪、蔡楚洋，专利代理机构上海元好常识产权代理有限公司，专利代理师南慧荣、徐雯琼，分类号H10P72/72、H10P72/50、H10P72/30、H01J37/32。

专利摘抄泄漏，本发明公开了一种基片位置检测安装过火系统和才调，该安装包含：载体盘，其通过传送机构舍弃在反映腔内的静电夹盘的上名义，所述载体盘在传送机构上的舍弃位置与基片在传送机构上的舍弃位置具有对应关系；种植在所述载体盘底面的多个电容组件，所述电容组件的电容值取决于所述电容组件和所述凹下部之间的相对位置；运算单位，kaiyun体育网页版登录入口其通过多个所述电容组件的电容值野心所述载体盘与所述静电夹盘上名义的相对位置，以得出所述基片与静电夹盘上名义的相对位置。其优点是：该安装将载体盘、电容组件和运算单位等相都集，哄骗静电夹盘现存的凹下部竣事了基片和静电夹盘之间对中性的检测，无需寥落对腔体内构件进行加工，减小了加工难度。

天眼查数据泄漏，中微半导体开拓（上海）股份有限公司开发日历2004年5月31日，法定代表东谈主尹志尧，所属行业为专用开拓制造业，企业限制为大型，注册成本62614.5307万东谈主民币，实缴成本62691.781万东谈主民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体开拓（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标名堂86次，财产陈迹方面有商标信息114条，专利信息1700条，领有行政许可88个。

中微半导体开拓（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称号专利类型法律情景苦求号苦求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1一种射频功率供应系统发明专利骨子审查的成效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相千里积开拓实用新式授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外不雅专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外不雅专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外不雅专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外不雅专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外不雅专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11一种气相千里积安装实用新式授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何大业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊12一种聚焦环功率调遣组件实用新式授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟13一种等离子体管束安装过火拘谨环组件实用新式授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁14一种真空吸盘、基座组件和薄膜千里积安装实用新式授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远15反映腔、富贵宽比结构过火变成才调发明专利授权、骨子审查的成效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强16基片托盘外不雅专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开17基片托盘外不雅专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开18环组件及外延滋长开拓实用新式授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开19一种下电极组件及等离子体管束开拓实用新式授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可20一种半导体管束开拓过火气体喷淋头实用新式授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子21电磁线圈组件及半导体加工开拓实用新式授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥22一种磁控管组件及磁控溅射开拓实用新式授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语23一种基片管束系统实用新式授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星24一种气相千里积开拓及半导体管束系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅25一种升降运转组件和半导体工艺开拓实用新式授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳26下电极组件及等离子体管束开拓实用新式授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟27一种掩膜结构变成才调发明专利骨子审查的成效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海28掩膜结构过火变成才调发明专利骨子审查的成效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海29一种掩膜结构过火制备才调、半导体开拓发明专利骨子审查的成效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙30等离子体拘谨结构及等离子体管束开拓实用新式授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟31一种环组件及成膜安装实用新式授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟32一种角落环组件、下电极组件、等离子体管束安装和制备才调发明专利授权、骨子审查的成效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟33一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体管束开拓实用新式授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强34一种半导体加工开拓过火戒指才调发明专利授权、骨子审查的成效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强35一种化学气相千里积安装实用新式授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫36一种基座及化学气相千里积开拓实用新式授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮37一种下电极组件、等离子体管束开拓过火电压戒指才调发明专利授权、骨子审查的成效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬38一种糟蹋结构及化学气相千里积安装实用新式授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开39缓冲安装实用新式授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何大业40一种化学气相千里积安装发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇41一种化学气相千里积安装实用新式授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉42一种气体流量戒指阀、气体运送安装及气体供应才调发明专利骨子审查的成效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪43化学气相千里积开拓实用新式授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远44一种晶圆承载组件及半导体管束开拓实用新式授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋45一种用于气柜可燃性测试的系统及才调发明专利骨子审查的成效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊46一种射频发生器、半导体管束开拓及使用才调发明专利授权、骨子审查的成效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军47一种半导体工艺平台实用新式授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何大业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊48一种半导体管束开拓过火固态先行者体运送系统和运送才调发明专利授权、骨子审查的成效、骨子审查的成效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫49一种用于半导体管束开拓的气体运送安装顺心体通路模块实用新式授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫50晶圆托盘外不雅专利授权CN202430820667.02024-12-24CN309541504S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇开云(中国)2026世界杯官方推荐

• 检测
• 公司
• 钟伟
• 级片